ԳԱԱ Ինստիտուտների համահավաք գրացուցակ = Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов / Дж. Н.Шайв : Пер. с англ. Г.А. Тягунова
Material type:
TextLanguage: Russian Publication details: Москва - Ленигнрад : Гос. энерг. изд., 1963.Description: 552 сOther title: - The properties,physics and design of semiconductor devices [Parallel title]
- 539.293
| Item type | Current library | Collection | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
Books
|
Institute of Radiophysics & Electronics | General | 539.293 Ш -17 (Browse shelf(Opens below)) | Available | IRE2097 | |
|
Books
|
Institute of Radiophysics & Electronics | General | 539.293 Ш 17 (Browse shelf(Opens below)) | Available | IRE2098 |
Browsing Institute of Radiophysics & Electronics shelves, Collection: General Close shelf browser (Hides shelf browser)
| 539.2.93 Ф 637 Сильно легированные полупроводники / | 539.293 Ч 210 Приемники излучения/ | 539.293 Ч 498 Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе / | 539.293 Ш -17 Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов / | 539.293 Ш 17 Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов / | 539.293 Ш 180 Введение в физику полупроводников / | 539.293 Ш183 Физика полупроводников / |
Библиогр.:в конце глав
All site content, except where otherwise noted, is licensed under a
There are no comments on this title.