ԳԱԱ Ինստիտուտների համահավաք գրացուցակ = Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов /
Шайв,Дж.Н.
Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов / The properties,physics and design of semiconductor devices Дж. Н.Шайв : Пер. с англ. Г.А. Тягунова - Москва - Ленигнрад : Гос. энерг. изд., 1963. - 552 с.
Библиогр.:в конце глав
Полупроводникы
539.293
Физические свойства и конструции полупроводниковых приборов / The properties,physics and design of semiconductor devices Дж. Н.Шайв : Пер. с англ. Г.А. Тягунова - Москва - Ленигнрад : Гос. энерг. изд., 1963. - 552 с.
Библиогр.:в конце глав
Полупроводникы
539.293
All site content, except where otherwise noted, is licensed under a