| 000 | 00808cam a2200217Ka 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 5170 | ||
| 003 | CONS | ||
| 005 | 20230315094304.0 | ||
| 008 | 070101s rus d | ||
| 041 | 1 | _arus | |
| 082 | 0 | 4 | _a539.293 |
| 100 | 1 | _aШайв,Дж.Н. | |
| 245 | 1 | 0 |
_aФизические свойства и конструции полупроводниковых приборов / _cДж. Н.Шайв : Пер. с англ. Г.А. Тягунова |
| 246 | 1 | 1 | _aThe properties,physics and design of semiconductor devices |
| 260 |
_aМосква - Ленигнрад : _bГос. энерг. изд., _c1963. |
||
| 300 | _a552 с. | ||
| 504 | _aБиблиогр.:в конце глав | ||
| 650 | 1 | 4 | _aПолупроводникы |
| 700 | 1 |
_aТягунова,Г.А. _eпер. |
|
| 942 |
_2udc _cBK |
||
| 999 |
_c5166 _d5166 |
||