Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n перехода / П.С.Агаларзаде, А.И.Петрин, С.О.Изидинов
Material type: TextLanguage: Russian Publication details: Москва : Советское радио, 1978.Description: Subject(s): DDC classification:- 621.382 A 230
Item type | Current library | Collection | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|---|
Books | Institute of Radiophysics & Electronics | General | 621.382 A 230 (Browse shelf(Opens below)) | Available | IRE13994 |
Browsing Institute of Radiophysics & Electronics shelves, Collection: General Close shelf browser (Hides shelf browser)
621.382 (033) П 533 Полупроводниковые триоды и диоды / | 621.382 (033) П 533 Полупроводниковые триоды и диоды / | 621.382 A 150 Статические характеристики диодных структур / | 621.382 A 230 Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n перехода / | 621.382 A 236 Основы транзисторной электроники / | 621.382 A 236 Основы транзисторной электроники / | 621.382 A 236 Основы транзисторной электроники / |
Библиогр.:с.206-223
There are no comments on this title.