Многослойные пленочные структуры для источников света / Л.Н.Александров, А.С.Иванцев
Material type: TextLanguage: Russian Publication details: Новосибирск : Наука , 1981.Description: 137 сSubject(s): DDC classification:- 539.23
Item type | Current library | Collection | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|---|
Books | Institute of Radiophysics & Electronics | General | 539.23 А 465 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 14621 |
Browsing Institute of Radiophysics & Electronics shelves, Collection: General Close shelf browser (Hides shelf browser)
539.23 A 465 Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок / | 539.23 P 780 Рост и легированив полупроводниковых кристаллов и пленок | 539.23 А 465 Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок / | 539.23 А 465 Многослойные пленочные структуры для источников света / | 539.23 П 533 Полупроводниковые пленки для микроэлектроники | 539.23 П 781 Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок | 539.23 Р 780 Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок |
Библиогр.: с. 126-135
There are no comments on this title.